من المتوقع أن يحصل هاتف Galaxy S26 Ultra على دفعة كبيرة في الأداء، ليس فقط من خلال الجيل الجديد من المعالجات، بل أيضاً بفضل أحدث تقنيات ذاكرة الوصول العشوائي (RAM).

وفقاً لتسريبات المسرب الشهير Ice Universe، سيأتي الجهاز مزوداً بذاكرة LPDDR5X منخفضة استهلاك الطاقة بسرعة تصل إلى 10.7 جيجابت في الثانية، والمصنعة من قبل شركة Micron.

يأتي هذا التطوير مقارنة بهاتف Galaxy S25 Ultra الذي استخدم نفس النوع من الذاكرة لكن بتقنية 1β (1-beta) من Micron وبسرعة قصوى 9.6 جيجابت في الثانية.

سيعتمد Galaxy S26 Ultra على ذاكرة بتقنية 1γ (1-gamma) من Micron، والتي توصف بأنها الأسرع في الصناعة، ما يجعلها مثالية لتطبيقات الذكاء الاصطناعي والمهام كثيفة البيانات.

كما توفر هذه التقنية وفراً في استهلاك الطاقة يصل إلى 20% مقارنة بجيل 1-beta، ما يطيل من عمر البطارية، إضافة إلى حجمها الصغير (0.61 ملم) الذي يتيح مساحة أكبر لمكونات أخرى مثل مستشعر كاميرا أكبر أو بطارية بسعة أعلى.

هناك احتمال أن تلجأ سامسونغ أيضاً إلى ذواكر LPDDR5X التي طورتها بنفسها بسرعة 10.7 جيجابت في الثانية والمبنية على تقنية تصنيع 12 نانومتر، والتي توفر بدورها أداءً أسرع وكفاءة أعلى من الجيل السابق.

العام الماضي، واجهت سامسونغ مشاكل في ارتفاع حرارة بعض المكونات، ما دفعها لاستخدام ذواكر Micron في 60% من أجهزة Galaxy S25. ومع أن الشركة تقول إنها عالجت هذه المشكلات، إلا أن تقارير يونيو أشارت إلى استمرار اختبار ذواكر Micron في سلسلة Galaxy S26.

إلى جانب تحسينات الذاكرة، من المتوقع أن يحصل Galaxy S26 Ultra على تصميم محدث وهيكل أنحف، مما يمنحه مظهراً أكثر عصرية مع أداء أقوى، ليواصل نجاح سلسلة Galaxy S بعد الأداء الجيد لـ Galaxy S25.